三星释放

三星实现技术突破，将DRAM层叠到128层

三星电子最近宣布他们已成功将DRAM层叠到了128层，这标志着在半导体领域实现了一项重大突破。DRAM层叠技术是一种在同一芯片上堆叠多个DRAM存储层的技术，这可以显著提高存储密度并提升性能。 DRAM层叠技术DRAM层叠技术允许多个DRAM存储层垂直堆叠在一起，通过垂直连接将它们连接在一起。这种技术的关键挑战之一是解决热量和电气信号互相干扰的问题，同时确保每一层都能够有效地访问。 技术突破三星此次将DRAM层叠到128层的突破标志着该公司在垂直集成技术领域的领先地位。通过不断创新和改进生产工艺，他们成功地克服了技...